Конструкции и монтаж фотоэлектрических модулей - страница 3
Преимущества солнечной энергетики – общедоступность и неисчерпаемость источника. Теоретически, полная безопасность для окружающей среды, хотя существует вероятность того, что повсеместное внедрение солнечной энергетики может изменить альбедо (характеристику отражательной (рассеивающей) способности) земной поверхности и привести к изменению климата (однако при современном уровне потребления энергии это крайне маловероятно).
Недостатки. Зависимость от погоды и времени суток. Фотоэлектрические преобразователи работают днём и с меньшей эффективностью работают в утренних и вечерних сумерках. При этом пик электропотребления приходится именно на вечерние часы. Кроме того, производимая ими электроэнергия может резко и неожиданно колебаться из-за смены погоды.
Глава 2. Основные виды солнечных батарей
Фотовольтаика—метод выработки электрической энергии путем использования фоточувствительных элементов для преобразования солнечной энергии в электричество. В солнечной энергетике для получения электрической энергии широко применяют фотоэлектрические преобразователи (ФЭП). Несколько соединенных между собой преобразователей образуют солнечную батарею.
2.1. Принцип работы
фотоэлектрических преобразователей
В основе работы фотоэлектрического преобразователя лежит фотоэффект—преобразование энергии электромагнитного излучения в электрическую энергию. Сущность фотоэффекта состоит в том, что электроны, содержащиеся в каком-либо веществе (твердом, жидком или газообразном), под действием фотонов падающего излучения приобретают энергию, позволяющую им изменять свое энергетическое состояние. Наиболее эффективными, с энергетической точки зрения, устройствами для превращения солнечной энергии в электрическую являются полупроводниковые фотоэлектрические преобразователи, поскольку это прямой, одноступенчатый переход энергии. К полупроводниковым относят материалы, у которых ширина запрещенной зоны (энергия, необходимая для перехода электрона из зоны валентности в зону проводимости) характеризуется значениями от 0 до 6 эВ. При создании гетероструктур может использоваться два, три и более полупроводника, которые компонуются определенным образом. По классификации полупроводниковых материалов иногда особо выделяют узкозонные полупроводники (ширина запрещенной зоны менее 0,3 эВ) и широкозонные полупроводники (ширина запрещенной зоны более 2 эВ.
Электронно-дырочный p-n переход–одно из основополагающих эффектов в твердотельной микроэлектронике. Р-n переход– ключевой элемент, необходимый для создания кремниевых кристаллических фотоэлектрических (фотогальванических) преобразователей.
Полупроводники по типу проводимости классифицируют:
–р-типа, в которых основной носитель заряда—дырки, общепринятое название—дырочная проводимость;
–n –типа, в которых основной носитель заряда—электроны проводимости, отсюда и название—электронная проводимость.
При этом, чтобы получить p-n переход, на пластине с одним типом проводимости необходимо создать слой с проводимостью другого типа.
Одно из важнейших свойств p-n перехода – это его способность пропускать носители тока исключительно в одном заданном направлении, другими словами – выполнять роль энергетического барьера. Поэтому именно этот эффект использован в солнечных элементах для получения электрического тока. Солнечное излучение, попадая на поверхность элемента, провоцирует генерирование в объеме полупроводника свободных разнополярных носителей заряда – положительно заряженные дырки (р) и отрицательно – электроны (n). Выступая в качестве барьера, p-n переход сортирует их, фильтруя на «свою» половину только определенный тин носителей заряда. В результате вместо хаотического движения в объеме полупроводника заряженные частицы, упорядоченно преодолевая p-n переход, оказываются по разным сторонам барьера, создавая напряжение на нагрузке, которая подключена к солнечному элементу.
Похожие книги
