Все науки. №8, 2022. Международный научный журнал - страница 6

Измерены проводимость s, концентрация носителей р_>н и коэффициент термоэдс a в зависимости от числа лазерных импульсов пленок конденсированных при разных температурах подложки. Результаты проведенных исследований показали, что при повышении Т_>с проводимость пленок s увеличивается, а коэффициент термоэдс a уменьшается. При воздействии лазерных импульсов в пленках наблюдается спад s и a.

Электронно-микроскопические исследования пленок показали, что при повышении Т_>с от 300К до 600К размер кристаллитов увеличивается от (5—6) 10^>2 до 10^>4 >оА и в этих пленках с повышением Т_>с наблюдается увеличение s и уменьшение a.

Заметные структурные изменения при ЛО наблюдались в пленках полученных на слюде при Тс=570К, т.е. при более высоких температурах конденсации. Здесь обнаруживается рост монокристальных фрагментов, размер которых во много раз превышал размеры кристаллитов в исходных необлученных конденсатах.

Процессами, ответственными за кристаллизационные явления, на наш взгляд, являются частичное плавление конденсатов при лазерном облучении (частичное, так как энергия в импульсе меньше порога плавления) и ударная кристаллизация (ускоренная кристаллизация в твердой фазе).

Приведён характер изменения концентрации дырок в пленках Вi_>2Sb_>xTe_>3 при g-облучение (источник Со^>60, интенсивность 10^>3Р/с) в свежеосажденных плёнках и плёнке, предварительно отожженной на воздухе при 420 К в течении 3 часов, у которой концентрация дырок до отжига совпадала с исходной концентрацией дырок.

Были отмечены следующие закономерности:

1. В образцах с исходными значениями концентрации дырок р ~ 8 10^>18см^>-3, g – облучение приводит к их монотоннному увеличению с выходом при Ф_>g> 10^>8Р на насыщение (кривая 1); при 10^>19 

>19 см^>-3 концентрация дырок при облучении уменьшается. При Ф_>g»10^>8 Р наблюдается незначительное увеличение и в дальнейшем принимает постоянное значение (кривая 2). Постоянному значению в обоих случаях соответствует одна и та же концентрация дырок р» 9 х 10^>18 см^>-3 (штриховая линия на рисунке).

2. При р> 5х10^>19 см^>-3 с ростом Ф_>g наблюдается уменьшение концентрации со снижением интенсивности процесса по мере увеличения Ф_>g (кривая 3); в таких же плёнках после термоотжига, приводящего к уменьшению концентрации, процесс снижения концентрации с ростом Ф_>g также замедляется.

Для объяснения наблюдаемых явлений необходимо принять следующее. В технологических режимах, обеспечивающих высокую концентрацию дырок, наряду с антиструктурными дефектами в плёнках образуются вакансии теллура [3]. При g-облучении за изменения в концентрации дырок ответственны два прцесса:

а) радиационно-стимулированная диффузия антиструктурных атомов по вакансаниям с вытеснением последних на стоки – границы кристаллитов и дислокации;

б) вытеснение атомов теллура в междоузлия.

Интенсивность первого процесса пропорциональна концентрации вакансий и энергетически выгодней относительно второго процесса. Первый процесс сопровождается уменьшением числа акцепторов, а второй – увеличением, поэтому в зависимости от исходной концентрации вакансий теллура в плёнках и возможны два типа изменений в концентрации дырок при g-облучение, что наблюдается экспериментально. Выход зависимости р (Ф