Все науки. №10, 2024. Международный научный журнал - страница 4

По причине каждая из алгебраический уравнений представлены в виде общих форм, то функции могут быть выведены исходи из них в (34), при том, что каждый из них содержит независимые переменные, которые вычисляются в дальнейшем посредством использования в значений потенциалов по граничным показателям, вычисленные ранее в (32), приводя к уравнениям и их соответствующему решению относительно независимых переменных в каждом уравнении в (35).

Подстановка полученных значений независимых переменных приводит к переходу ранее выведенных форм общих функций (33) к результирующей форме в (36).

Каждая функция может быть смоделирована в трёхмерной форме, как это было сформулировано в предыдущих случаях, представляется в двух известных масштабах относительно переменных x, y – относительно 10^>—2, 10^>—3 (Рис. 14—16) и 10^>—5, 10^>—6 (Рис. 17—19).

Рис. 14. Первое представление потенциальной картины кристаллического кремния в масштабе 10^>—2 и 10^>—3 единицы x, y

Рис. 15. Второе представление потенциальной картины кристаллического кремния в масштабе 10^>—2 и 10^>—3 единицы x, y

Рис. 16. Третье представление потенциальной картины кристаллического кремния в масштабе 10^>—2 и 10^>—3 единицы x, y

Рис. 17. Второе представление потенциальной картины кристаллического кремния в масштабе 10^>—5 и 10^>—6 единицы x, y

Рис. 18. Второе представление потенциальной картины кристаллического кремния в масштабе 10^>—5 и 10^>—6 единицы x, y

Рис. 19. Второе представление потенциальной картины кристаллического кремния в масштабе 10^>—5 и 10^>—6 единицы x, y

В результате смоделированных трёхмерных графиков можно наглядно проследить, что каждый из графиков гладкий и простейший, в отличие от предыдущих двух примеров, где участвовали легированные соединения теллурида кадмия и оксида кремния. В данном случае смоделирован кристаллический чистый кремний, что позволяет получать указанные графики, коррелирующие с действительностью.

Исходя из полученных результатов, были сформулированы 3 отдельно взятые модели по теллуриду кадмия, оксиду кремния и кристаллическому кремнию, при этом в каждом из случаев функции представлены в трёхмерном пространстве. Фактически, было бы логичным расположить каждую из функций друг за другом, создав одну единую модель полупроводникового элемента.

Так, в виде максимально дискретно представленного графика, моделирующий весь полупроводниковый элемент может быть представлен сборник всех на данный момент полученных трёхмерных графиков в различных комбинациях, что также соответствует различным комбинациям расположения слоёв полупроводникового элемента. При этом каждая из комбинаций может быть представлена посредством отдельных выборок, где отдельная роль отводиться 2 измерениям, а третья изменяется, соответствуя общей выборке в Табл. 2—4.

Таблица 1. Первая формулировка комплектов графиков

Таблица 2. Вторая формулировка комплектов графиков

Таблица 3. Вторая формулировка комплектов графиков

При этом каждая таблица может быть представлена в 2 масштабах 10^>—2, 10^>—3 в Рис. 20—22, при том же равная по виду с масштабов по 10^>—5 и 10^>—6.

Рис. 20. Первая форма соединённой трёхмерной диаграммы в 10^>—2 и 10^>—3

Рис. 21. Вторая форма соединённой трёхмерной диаграммы в 10^>—2 и 10^>—3

Рис. 22. Третья форма соединённой трёхмерной диаграммы в 10^>—2 и 10^>—3

В результате была получена дискретная общая форма организованного полупроводникового элемента, однако при организованном эмпирическом расчёте полученная вариация может быть представлена согласно детектируемым показателям. Так, зависимости спектрального характера при взаимодействии с внешним коронным разрядом показывают изменение Рис. 24, когда же изменение высоты в масштабе потенциального барьера, необходимого для преодоления электронами могут быть представлены согласно Рис. 23.